BJT饱和压降测量

饱和状态定义

当BJT工作在饱和区时，发射结和集电结都处于正向偏置状态，此时晶体管相当于一个导通的开关，但并非理想导通。

电流流动机制

在饱和状态下，基极注入的载流子远超过集电极所能收集的数量，多余的载流子在基区积累，导致集电结正向导通。

压降形成原因

VCES主要由集电区串联电阻、饱和基区电阻和结电压降共同决定，反映了器件导通时的等效电阻。